功率電路采用大功率雙H橋電路，上半橋使用P溝道功率MOSFET IRF9540，下半橋使用N溝道功率MOSFET IRF540。這樣可以滿足驅(qū)動(dòng)母線電源電壓為85V、相電流7A的步進(jìn)電機(jī)的要求。而且采用這種結(jié)構(gòu)，可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路電源的設(shè)計(jì)，因?yàn)樵俨恍枰鄠€(gè)隔離的驅(qū)動(dòng)電源，可以使母線電源與驅(qū)動(dòng)電源共地。

對(duì)于上橋P溝道功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)采用由NPN和PNP三極管構(gòu)成的互補(bǔ)式驅(qū)動(dòng)電路，使 MOSFET輸入電容充放電電路的電阻都很小，加速了功率管的通斷。并通過(guò)并接一個(gè)13V的穩(wěn)壓二極管，使得當(dāng)母線電壓較高時(shí)鉗位MOSFET的柵源驅(qū)動(dòng)電壓，以避免其超過(guò)柵源擊穿電壓。

而對(duì)于下橋N溝道功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)采用簡(jiǎn)單的NPN三極管驅(qū)動(dòng)放大電路，這樣改善了MOSFET的開通過(guò)程，而且減少了驅(qū)動(dòng)電源的功率;并在三極管的基極與發(fā)射極反并聯(lián)二極管，這樣就為輸入電容提供了放電回路，加速了功率管的關(guān)斷過(guò)程。

當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路直接來(lái)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET時(shí)會(huì)引起被驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的快速開通和關(guān)斷，這就有可能造成被驅(qū)動(dòng)功率MOSFET漏源極間電壓的振蕩。這樣，一則會(huì)引起射頻干擾;二則有可能造成功率MOSFET遭受過(guò)高的 而擊穿損壞。為解決這一問(wèn)題，采用在被驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的柵極與驅(qū)動(dòng)電路的輸出之間串聯(lián)一個(gè)15 的無(wú)感電阻。具體的上、下半橋驅(qū)動(dòng)電路分別如圖3和圖4所示。L297輸出的載有斬波信號(hào)的INH1、INH2，與時(shí)序邏輯信號(hào)A、B、C、D經(jīng)過(guò)邏輯門電路的恰當(dāng)組合，產(chǎn)生PWM1和PWM2信號(hào)，作為驅(qū)動(dòng)電路的斬波信號(hào)輸入端。